MR25H10CDF该存储器容量1Mbit（128KB×8），采用MRAM技术，无需电池备份可永久保存数据。工作电压1.7V-3.6V，支持工业级温度范围（-40℃至+85℃），适合恶劣嵌入式应用。存储单元基于MTJ原理，有无限次读写寿命（>10¹⁶次），远超

spi mram everspin mram技术 eepro 2025-09-25 09:58  2